Pristatymo terminai
2026-01-15 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 767 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8 ONSEMI
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; SO8
Tiekėjo specifikacijos
Product code
NCP81080DR2G
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NCP81080DR2G
Product ID
U-2593998
Case
SO8
Impulse rise time
19ns
Kind of integrated circuit
high-side
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
Operating temperature
-40...140°C
Output current
-800...500mA
Pulse fall time
17ns
Supply voltage
5.5...20V DC
Type of integrated circuit
driver
Topology
MOSFET half-bridge
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].