LEMONA

Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W YANGJIE TECHNOLOGY

Prekės kodas: YJG15N15B-YAN
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Atsiprašome, prekės nebeturime.

Rekomenduojame rinktis iš:

Kitos prekės šioje kategorijoje

Pristatymo terminai

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39

Prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W YANGJIE TECHNOLOGY

Specifikacijos

SKU
U-1928818
Prekinis ženklas
Prekės kodas
YJG15N15B-YAN

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W

Tiekėjo specifikacijos

Product code
YJG15N15B-YAN
Supplier's product code
YJG15N15B-YAN
Product ID
U-1928818
Case
DFN5x6
Drain current
15A
Drain-source voltage
150V
Gate charge
11.6nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting
SMD
On-state resistance
75mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
29W
Pulsed drain current
50A
Technology
SPLIT GATE TRENCH
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
YANGJIE TECHNOLOGY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].