Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W INFINEON TECHNOLOGIES
Prekės kodas: IMW120R045M1XKSA1
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W INFINEON TECHNOLOGIES
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
IMW120R045M1XKSA1
Supplier's product code
IMW120R045M1XKSA1
Product ID
U-1925797
Case
TO247
Drain current
36A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate-source voltage
-10...20V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
59mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
114W
Pulsed drain current
130A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
INFINEON
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].