Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W INFINEON TECHNOLOGIES
Prekės kodas: IMZ120R090M1HXKSA1
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W INFINEON TECHNOLOGIES
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 50A; 58W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
IMZ120R090M1HXKSA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IMZ120R090M1HXKSA1
Product ID
U-1876355
Case
TO247-4
Drain current
18A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate-source voltage
-7...23V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
0.17Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
58W
Pulsed drain current
50A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].