LEMONA

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W ONSEMI

Prekės kodas: NTH4L160N120SC1
Nuotrauka yra tik iliustracija. Tikslias produkto specifikacijas rasite aprašyme.
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių

Atsiprašome, prekės nebeturime.

Rekomenduojame rinktis iš:

Kitos prekės šioje kategorijoje

Pristatymo terminai

home delivery

Pristatymas į namus

Pristatymas į namus

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.

Virš 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

Nemokamai

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 3 kg)

3,49

Iki 70,00 €

(Užsakymams iki 1000 kg)

3,49 - 4,99 €

Shipping parcel

Pristatymas į paštomatą

Pristatymas į paštomatą

Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.

2,39

Prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W ONSEMI

Naudinga informacija


Specifikacijos

SKU
U-1922463
Prekinis ženklas
Prekės kodas
NTH4L160N120SC1

Tiekėjo prekės aprašymas

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W

Naudinga informacija

Tiekėjo specifikacijos

Product code
NTH4L160N120SC1
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NTH4L160N120SC1
Product ID
U-1922463
Case
TO247-4
Drain current
12.3A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
34nC
Gate-source voltage
-15...25V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
224mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
55.5W
Pulsed drain current
69A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].