Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W BASiC SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: B3M040120ZN
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W BASiC SEMICONDUCTOR
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 124A; 312W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
B3M040120ZN
Case
TO247-4
Drain current
45A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
88nC
Gate-source voltage
-5...18V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
40mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
312W
Pulsed drain current
124A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
B3M040120ZN
Product ID
U-5013933
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].