Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W BASiC SEMICONDUCTOR
Prekės kodas: B2M600170HH
Prekinis ženklas
Daugiau panašių prekių
Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W BASiC SEMICONDUCTOR
Naudinga informacija
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5A; Idm: 10A; 75W
Naudinga informacija
Tiekėjo specifikacijos
Product code
B2M600170HH
Brand
BASiC SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
B2M600170HH
Product ID
U-5013920
Case
TO247-3
Drain current
5A
Drain-source voltage
1.7kV
Gate charge
14nC
Gate-source voltage
-4...18V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
BASiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
0.6Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
75W
Pulsed drain current
10A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].