Pristatymo terminai
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W STMicroelectronics
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 240W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SCTW35N65G2V
Supplier's product code
SCTW35N65G2V
Product ID
U-2738363
Case
HIP247™
Drain current
45A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
73nC
Gate-source voltage
-10...22V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
68mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
240W
Pulsed drain current
90A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
STMicroelectronics
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].