Pristatymo terminai
2025-11-26 Numatomas pristatymas užsakius dabar
Prekė užsakoma iš tiekėjo sandėlio. Jei tiekėjas šios prekės pristatyti iki nurodytos datos negalės, informuosime jus el. paštu.
 955 vnt. | Tiekėjo sandėlis |
Pristatymas į namus
Pristatymas į namus
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu.
Virš 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | Nemokamai |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 3 kg) | 3,49 |
Iki 70,00 € (Užsakymams iki 1000 kg) | 3,49 - 4,99 € |
Pristatymas į paštomatą
Pristatymas į paštomatą
Perdavę prekes kurjeriui, informuosime Jus el. paštu. Užsakymai virš 50.00 € pristatomi nemokamai.
2,39
Prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W VISHAY
Specifikacijos
Tiekėjo prekės aprašymas
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Tiekėjo specifikacijos
Product code
SI1013CX-T1-GE3
Supplier's product code
SI1013CX-T1-GE3
Product ID
U-3127365
Case
SC89
Drain current
-0.45A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
2.5nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhancement
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.19W
Pulsed drain current
-1.5A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Tiekėjo pateikiama informacija apie prekę gali skirtis nuo realaus produkto. Jei pastebėjote neatitikimų praneškite apie tai el. paštu [email protected].